碳化硅（SiC）是制作半導(dǎo)體器件及材料的理想材料之一，但其在工藝過(guò)程中，會(huì)不可避免的產(chǎn)生晶格缺陷等問(wèn)題，而快速退火可以實(shí)現(xiàn)金屬合金、雜質(zhì)激活、晶格修復(fù)等目的。在近些年飛速發(fā)展的化合物半導(dǎo)體、光電子、先進(jìn)集成電路等細(xì)分領(lǐng)域，快速退火發(fā)揮著無(wú)法取代的作用。
01快速退火在化合物半導(dǎo)體上的應(yīng)用
碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，具有硬度高、熱導(dǎo)率高、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，在半導(dǎo)體領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
由于碳化硅器件的部分工藝需要在高溫下完成，這給器件的制造和封測(cè)帶來(lái)了較大的難度。例如，在摻雜步驟中，傳統(tǒng)硅基材料可以用擴(kuò)散的方式完成摻雜，但由于碳化硅擴(kuò)散溫度遠(yuǎn)高于硅，所以需要采用高溫離子注入的方式。而高能量的離子注入會(huì)破壞碳化硅材料原本的晶格結(jié)構(gòu)，因此需要采用快速退火工藝修復(fù)離子注入帶來(lái)的晶格損傷，消除或減輕晶體應(yīng)力和缺陷，提高結(jié)晶質(zhì)量。
02什么是快速退火爐（RTP SYSTEM）
快速退火爐是利用鹵素紅外燈作為熱源，通過(guò)極快的升溫速率，將材料在極短的時(shí)間內(nèi)從室溫加熱到300℃-1250℃，從而消除材料內(nèi)部的一些缺陷，改善產(chǎn)品性能。
03快速退火爐產(chǎn)品介紹
全自動(dòng)雙腔快速退火爐
RTP-DTS-8是一款全自動(dòng)雙腔快速退火設(shè)備，可兼容6-8英寸晶圓Wafer。
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
全自動(dòng)雙腔設(shè)計(jì)，有效提升產(chǎn)能
最高溫度可達(dá)1250℃，具有超高溫場(chǎng)均勻性
具備穩(wěn)定的溫度重現(xiàn)性
能夠滿足SIC量產(chǎn)化制程需求
半自動(dòng)快速退火爐
RTP-SA-12是在保護(hù)氣氛下的半自動(dòng)立式快速退火系統(tǒng)，可兼容4-12英寸晶圓Wafer。
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
采用紅外鹵素?zé)艄芗訜?，冷卻采用風(fēng)冷；
快速PID溫控，可精準(zhǔn)控制溫度升溫，保證良好的重現(xiàn)性和溫度均勻性；
采用平行氣路進(jìn)氣方式，氣體進(jìn)出口設(shè)置在晶圓表面，避免退火過(guò)程中冷點(diǎn)產(chǎn)生，保證良好的溫度均勻性；
大氣與真空處理方式均可選擇，實(shí)現(xiàn)進(jìn)氣前氣體凈化處理；
標(biāo)配兩組工藝氣體，最多可擴(kuò)展至6組工藝氣體。
桌面型快速退火爐
RTP-TABLE-6是一款桌面型快速退火設(shè)備，標(biāo)配三組工藝氣體，可最大兼容6英寸晶圓Wafer。
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
紅外鹵素?zé)艄芗訜?，冷卻采用風(fēng)冷；
采用快速PID溫控，可精準(zhǔn)控制溫度升溫，保證良好的重現(xiàn)性和溫度均勻性；
采用平行氣路進(jìn)氣方式，氣體進(jìn)出口設(shè)置在晶圓表面，避免退火過(guò)程中冷點(diǎn)產(chǎn)生，保證良好的溫度均勻性；
大氣與真空處理方式均可選擇，實(shí)現(xiàn)進(jìn)氣前氣體凈化處理。